لی جون (Lei Jun)، رئیس شیائومی، با ارائه مقاله تحقیقاتی فوقالعاده خود که برای کنفرانس IEDM 2025 انتخاب شد، در صنعت نیمههادیها تاریخساز شد و اعلام کرد که گروه تحقیقاتی آنها، یعنی تیم فرکانسهای رادیویی گوشیها موفق به توسعه فناوری جدیدی به نام گالیوم نیترید (GaN) شده است. این نوآوری بهطور چشمگیری مشکل مصرف انرژی در زمان گسترش اتصال 6G در جهان را برطرف میکند و پیشرفت قابل توجهی برای سختافزار گوشیهای شیائومی است.
با گسترش نسل بعدی اینترنت، یعنی 6G، مصرف انرژی دادهها به حدی زیاد است که ممکن است موجب اختلال در کارکرد فناوریهای فعلی شوند. تقویتکنندههای گالیوم آرسنید (GaAs) که برای چهار دهه مورد استفاده قرار گرفتهاند، از نظر گرما و بهرهوری انرژی به نقطه اوج خود نزدیک شدهاند. اگرچه گالیوم نیترید ماده بهتری نسبت به این تقویتکنندهها است، اما ولتاژ آن همیشه باید بالا (۲۸/۴۸ ولت) باشد که در گوشیهای هوشمند امکانپذیر نیست. تیم تحقیقاتی شیائومی یکی از گروههایی محسوب میشود که موفق شده است این محدودیت را از بین ببرد. آنها توانستند یک محلول ولتاژ پایین از گالیوم نیترید بر پایه سیلیکون توسعه دهند که در محدوده مصرف انرژی گوشی قابل استفاده است. این پیشرفت به پر کردن شکاف بین مواد با کارایی بالا و مواد مخصوص محصولات مصرفی کمک میکند.
مقاله ارائه شده توسط شیائومی، شامل توضیحاتی درباره یک ترانزیستور با قابلیت تحرک بالا (GaN HEMT) است که عملکرد فوقالعادهای دارد. این فناوری نوآورانه امکان افزایش بهرهوری انرژی بالای ۸۰ درصد را در ولتاژ عملیاتی ۱۰ ولت فراهم میکند و یک پیشرفت بزرگ نسبت به نسل قبل محسوب میشود که با چگالی توان بیشتر، دیگر مشکل افزایش دمای مواد را ندارد. بنابراین، شیائومی از طریق بهینهسازی نیمههادیها و به حداقل رساندن اتلاف فرکانس رادیویی، نشان داده است که گالیوم نیترید برای استفاده دز بخش RF گوشیهای هوشمند مناسب است. این تحقیق نه تنها فناوری اشاره شده را از نظر آکادمیک معتبر میکند، بلکه امکان تولید انبوه را فراهم کرده و تضمین خواهد کرد که گوشیها در آیندهای نزدیک سریعتر و خنکتر کار خواهند کرد.